黑板报

海力士（SK Hynix）计划斥资~ 3.86 B在韩国建造一座新的DRAM芯片设施，该设施将于本月动工，计划于2025年11月完工(Joyce Lee/Reuters)

韩国内存芯片制造商SK Hynix周三表示，计划投资5.3万亿韩元。

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