美光表示,它已经开始批量生产其238层3D NAND闪存芯片,有望实现2400MT/s速度,比上一代的176层1600MT/s(Anton Shilov/Tom’s Hardware)

新的内存有望达到2,400 MT/s的速度。–SK海尼克斯周三晚间表示,已经开始批量生产其238层。

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